2022年中国光刻胶竞争格局及重点企业分析：企业加紧技术封锁突破，国产光刻胶替代进程加速推进

光刻胶赵雪榛 2023-03-14 09:14 来源：

内容概要：因生产技术较为复杂、工艺所需光刻胶有严格的质量要求且国内光刻胶生产工艺及产能不足以满足市场需求，我国光刻胶市场主要由日系的JSR、信越化学、东京应化等少数公司所垄断，国内光刻胶大规模产业化生产企业相对较少，大部分企业目前仍处于光刻胶产品技术研发阶段或光刻胶生产线加紧建设阶段。随着国内半导体产业国产化替代浪潮的兴起，我国光刻胶产品技术研发不断增加，国产光刻胶技术专利申请量上升，国内光刻胶产品生产技术水平不断提升，国产供应能力不断增强，行业市场国产化进程加速推进。

关键词：光刻胶竞争格局、光刻胶技术研发、光刻胶产业重点企业分析、国产高端光刻胶

一、市场产品研发力度增强，国产光刻胶替代加速

光刻胶是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，主要由感光树脂、增感剂和溶剂3种材料组成的对光敏感的混合液体，可在光刻工艺过程中用作抗腐蚀涂层材料，是光刻工艺最重要的耗材，对光刻精度至关重要，光刻胶被称为半导体材料皇冠上的明珠，是半导体产业最关键的材料。据在光刻胶工艺过程中形成的图像，光刻胶可大致分为正性光刻胶和负性光刻胶两大类，主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。

因生产技术较为复杂、工艺所需光刻胶有严格的质量要求且国内光刻胶生产工艺及产能不足以满足市场需求，我国光刻胶市场主要由日系的JSR、信越化学、东京应化等少数公司所垄断，国内光刻胶大规模产业化生产企业相对较少且企业所占市场份额较低，如2021年，晶瑞电材光刻胶业务收入为2.74亿元，所占行业市场份额仅2.94%；国内大部分企业目前仍处于光刻胶产品技术研发阶段或光刻胶生产线加紧建设阶段，如国风新材与中科大及哈工大成立联合实验室开展PI光刻胶材料研究、万润股份的年产65吨光刻胶树脂系列产品项目、飞凯材料的5000t/aTFT-LCD光刻胶项目、晶瑞电材的集成电路制造用高端光刻胶研发项目、南大光电的ArF光刻胶产品开发与产业化研发项目等。

随着国内半导体产业国产化替代浪潮的兴起，我国光刻胶产品技术研发不断增加，国产光刻胶技术专利申请量上升，主要由上海、北京、江苏、广东、安徽、浙江等省市地区企业申请，如京东方科技集团股份有限公司、中芯国际集成电路制造（上海)有限公司、中国科学院微电子研究所、上海华力微电子有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、台湾积体电路制造股份有限公司、西安电子科技大学、上海华虹NEC电子有限公司、北京大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、北京京东方光电科技有限公司、长鑫存储技术有限公司等，国内光刻胶产品生产技术水平不断提升，国产供应能力不断增强，行业市场国产化进程加速推进。

二、企业加大产品研发投入，南大光电突破ArF光刻胶技术封锁

（一）南大光电：“02-专项”通过验收，加速ArF光刻胶产业化实现

南大光电全称江苏南大光电材料股份有限公司，诞生于国家“863”计划，于2000年正式创办成立，成长于国家“02-专项”，于2012年8月7日在深圳证券交易所创业板挂牌上市。南大光电围绕前驱体材料（包含MO源）、电子特气和光刻胶三项核心电子材料进行奋斗，产品广泛应用于制备IC、LCD、LED、OLED、功率器件、半导体激光器等领域，并通过在江苏苏州、浙江宁波、安徽全椒、山东淄博、内蒙古乌兰察布设立研发生产基地，在北美设立营销技术服务分公司，企业基本形成了三大核心业务板块布局。其中，浙江宁波的光刻胶生产基地占地面积达90666平方米，主要承担企业高端光刻胶及配套材料的研发和产业化。

2017年，南大光电承接另外国家“02-专项”高分辨率光刻胶产品关键技术的研究项目，达到光刻胶基础配方分辨率相关技术节点要求和项目原定的技术指标要求，得到了“02-专项”项目验收专家组的高度认可；2018年，02重大专项实施管理办公室决定由该企业正式承担193nm浸没式光刻胶产品开发和产业化项目，持续突破ArF光刻胶产品技术封锁。经过长时间的研发投入及技术积累，2019年，南大光电的产能达到10吨/年的第一条光刻胶生产线在宁波市北仑区成功建成，并于2020年完成了总产能达到25吨/年的第二条光刻胶生产线。直至2020年底，南大光电193nmArF光刻胶先后通过存储和逻辑两家芯片制造企业的验证，为量产打下了坚实基础，成为国内首个通过验证的ArF光刻胶产品，企业ArF光刻胶研发和产业化取得关键性突破；2021年建党100周年前夕，企业“先进光刻胶产品开发与产业化”项目顺利通过验收。

光刻胶及配套材料作为光刻工艺中的关键材料，广泛应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工工艺中，且光刻胶质量高度影响光刻工艺实施，目前，国内光刻胶高端产品市场进口依存度较高。据悉，南大光电在国家重大科技攻关项目的支持下，不断推动企业光刻胶技术研发完全自主化路线实施，其自主研发和产业化的ArF光刻胶（包含干式及浸没式）已可以达到90nm-14nm的集成电路工艺节点，将持续助力提升国家关键材料领域自主可控水平、突破国外光刻胶产品技术封锁，有利于实现高端光刻胶的进口替代，加速国产产品替代化发展进程推进。2022年1-9月，南大光电产品技术研发投入金额达1.29亿元，同比增长66.3%。目前，南大光电光刻胶产品在研项目为“ArF光刻胶原材料及配套材料研究和产业化”，主要用于建立企业ArF光刻胶原材料及配套材料的产品检测和质量控制平台、生产基地和产业化平台，助力企业光刻胶业务产业化发展进程推进。

未来南大光电将坚定围绕“为用户提供更安全、经济、绿色的高品质电子材料，成为国内一流，具有国际竞争力的电子材料公司”这一战略目标，坚守“真正的高科技、真正的产业化、真正的全球化”发展标准，践行“安全第一、以客户为中心、以业绩为标准”三项基本原则，光刻胶业务以通过国家验收为新起点，围绕重大科技专项及重点客户需求，加快关键项目技术攻关，紧抓产品认证和市场拓展，加快企业ArF光刻胶产业化步伐，力争实现“前驱体材料国际领先，电子特气国内一流，ArF光刻胶成功产业化”总发展目标。

（二）晶瑞电材：业务经营收入增长，加紧ArF高端光刻胶研发

晶瑞电材企业全称为晶瑞电子材料股份有限公司，成立创办于2001年，是一家集研发、生产和销售于一体的科技型新材料公司，企业主要生产产品保养有超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料等，广泛应用于半导体、面板显示、LED等泛半导体领域及锂电池、太阳能光伏等新能源行业。

光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一，属典型卡脖子材料，高端产品的研发和生产主要由日系的JSR、信越化学、东京应化等少数公司所垄断。为突破产品技术工艺封锁，晶瑞电材围绕半导体光刻胶领域进行产品研发，于1993年正式开始光刻胶产业生产，2020年启动了集成电路制造用高端光刻胶研发项目，并于2020年下半年购买了ASML1900Gi型光刻机及配套设备，2021年下半年购入了尼康KrFS207光刻机及配套设备，有效助力国家关键材料领域“自主可控”水平的提升、半导体材料的“国产替代”。

经过近30年的生产技术积累，目前，晶瑞电材已拥有了成系列的光刻机五台，形成了负型光刻胶系列、宽谱正胶系列、g线系列、i线光刻胶系列、KrF光刻胶系列等数十个型号的光刻胶产品体系，且产品质量达到国际中高级水准，在国内具有悠久声誉，i线光刻胶已向国内中芯国际、合肥长鑫等知名大尺寸半导体厂商供货、KrF（248nm深紫外）光刻胶产品分辨率达到了0.25～0.13µm的技术要求且KrF光刻胶生产及测试线已经基本建成，，企业已成为我国供应半导体光刻胶出货量最大的本土企业之一。

凭借企业在半导体光刻胶领域近30年的技术积累、近年来持续引进优秀人才并加强团队建设、多年良好的行业口碑等优势，晶瑞电材逐步打造并形成一个日趋完善的半导体光刻胶产品序列，企业光刻胶业务范围不断拓展。2019-2022年，晶瑞电材光刻胶业务营收呈现逐年上升态势。2022年1-6月，晶瑞电材光刻胶及配套材料业务实现营业收入为1.37亿元，同比增长3.84%；其中企业正、负型光刻胶营业收入同比增长11.25%，配套材料营业收入同比增长42.18%。

为突破国际高端光刻胶产品技术的封锁、提高光刻胶市场国产自给率，晶瑞电材不断加大尖端光刻胶的研发投入。2022年1-9月，晶瑞电材研发投入金额为4333.82万元，同比增长37.74%。目前，晶瑞光电正加紧集成电路制造用高端光刻胶研发项目（ArF）、适用于ArF光刻胶生产的成膜树脂合成工艺研发、超高耐热性I-line光刻胶研发、Acetal型正性光刻胶的研发、适用于250nm到130nm工艺节点KrF光刻胶研发等多个光刻胶产品技术项目研发，其中ArF高端光刻胶研发工作的正式启动及研发工作的有序开展是晶瑞电材在光刻胶产品研发领域又一重点突破方向，将持续助力企业产品技术水平提升，推动我国高端光刻胶市场国产替代推进。