研究团队在提高单晶硅的应变水平方面取得突破性进展

英国国家物理实验室（NPL）和萨里大学研究团队开发了一种单步程序，使单晶硅承受创纪录的更大应变，这一进展或对硅光子学发展起到重要作用。论文发表在《Physical Review Materials》杂志上。

硅光子学是物联网背后技术的基础。该团队利用离子注入对硅膜施加应变，其方式类似于收紧鼓皮，应变通过改变其电子结构来增强硅的发光能力。然后，使用称为电子背散射衍射（EBSD）的扫描电子显微镜技术来测量应变膜的形状和结构，拍摄电子如何从膜上反弹（“反向散射”）的照片，并检查高应变是否均匀地施加在膜上且不会在材料中产生意外的缺陷。

注：本文摘自国外相关研究报道，文章内容不代表本网站观点和立场，仅供参考。

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